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SQJ444EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 60A, PWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ444EP-T1_GE3
No. Parte Newark26AK5826
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
1,845 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.600 |
| 10+ | $1.300 |
| 25+ | $1.240 |
| 50+ | $1.190 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ444EP-T1_GE3
No. Parte Newark26AK5826
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0032ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia68W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0032ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
68W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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