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SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $1.120 |
| 25+ | $1.020 |
| 50+ | $0.909 |
| 100+ | $0.803 |
| 250+ | $0.763 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ479EP-T1_GE3
No. Parte Newark75AH9222
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id32A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0275ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia68W
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0275ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
68W
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
32A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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