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SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 32 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ479EP-T1_GE3
No. Parte Newark49AM0105
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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2,249 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 25+ | $0.894 |
| 50+ | $0.772 |
| 100+ | $0.649 |
| 250+ | $0.581 |
| 500+ | $0.514 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ479EP-T1_GE3
No. Parte Newark49AM0105
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id32
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.033
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia68
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
32
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
68
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.033
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SQJ479EP-T1_GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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