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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJA66EP-T1_GE3
No. Parte Newark37AJ1211
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
1,213 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $2.000 |
10+ | $1.620 |
25+ | $1.500 |
50+ | $1.390 |
100+ | $1.270 |
250+ | $1.170 |
500+ | $1.080 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJA66EP-T1_GE3
No. Parte Newark37AJ1211
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id75A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia68W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
68W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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