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SQS460CENW-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 8A, POWERPAK 1212-8W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS460CENW-T1_GE3
No. Parte Newark65AK0156
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
40 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.170 |
| 10+ | $0.820 |
| 25+ | $0.777 |
| 50+ | $0.735 |
| 100+ | $0.692 |
| 250+ | $0.636 |
| 500+ | $0.579 |
| 1000+ | $0.542 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.17
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS460CENW-T1_GE3
No. Parte Newark65AK0156
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8W
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia27W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8W
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
27W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto