Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P06-15-BE3
No. Parte Newark80AH8989
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
1,599 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $1.030 |
| 25+ | $1.030 |
| 50+ | $1.030 |
| 100+ | $1.030 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.03
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P06-15-BE3
No. Parte Newark80AH8989
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd113W
Disipación de Potencia113
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
113W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
113
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto