Imprimir página
SUM90140E-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.340 |
| 10+ | $2.860 |
| 25+ | $2.590 |
| 50+ | $2.310 |
| 100+ | $2.040 |
| 250+ | $1.940 |
| 500+ | $1.820 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.34
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM90140E-GE3
No. Parte Newark86Y1093
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia de Activación Rds(on)0.0138ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0138
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia375
Disipación de Potencia Pd375W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 200 V (DS) a 175 ° C adecuado para su uso en fuentes de alimentación (fuentes de alimentación ininterrumpidas, fuentes de alimentación conmutadas de CA/CD, iluminación), rectificación síncrona, convertidor CD/CD, interruptor de accionamiento de motor, inversor CD/CA , micro inversor solar y amplificador de audio Clase D.
- MOSFET de potencia ThunderFET®
- Temperatura Unión Máxima 175°C
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0138ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0138
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto