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SUP85N10-10-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP85N10-10-E3
No. Parte Newark06J8578
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id85
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SUP85N10-10-E3 es un MOSFET de potencia con modo de mejora de canal N TrenchFET® de 100 VDS con diodo antiparalelo.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
85
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Disipación de Potencia Pd
250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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