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WMSC006H12B2S6T
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWMSC006H12B2S6T
No. Parte Newark27AM4930
Hoja de datos técnicos
14 En Stock
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Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $124.800 |
| 5+ | $122.560 |
| 10+ | $120.210 |
| 36+ | $119.040 |
| 60+ | $117.900 |
| 108+ | $113.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$124.80
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWMSC006H12B2S6T
No. Parte Newark27AM4930
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id200
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01
Diseño de TransistorWeEnPACK-B2
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia278
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
WeEnPACK-B2
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
278
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto