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WNSC2M150120TB6J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 24.6 A, 1.2 kV, 150 mohm, TSPAK
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M150120TB6J
No. Parte Newark27AM4937
Hoja de datos técnicos
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400 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.850 |
| 10+ | $5.290 |
| 25+ | $4.940 |
| 50+ | $4.580 |
| 100+ | $4.120 |
| 250+ | $3.490 |
| 500+ | $3.380 |
| 1200+ | $3.240 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.85
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M150120TB6J
No. Parte Newark27AM4937
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id24.6
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150
Diseño de TransistorTSPAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia169
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
24.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TSPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
169
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto