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WNSC2M1K0170B7J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 7.5 A, 1.7 kV, 1.2 ohm, TO-263
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M1K0170B7J
No. Parte Newark27AM4935
Hoja de datos técnicos
591 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.310 |
| 10+ | $3.900 |
| 25+ | $3.640 |
| 50+ | $3.380 |
| 100+ | $3.030 |
| 250+ | $2.570 |
| 500+ | $2.480 |
| 1600+ | $2.390 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M1K0170B7J
No. Parte Newark27AM4935
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id7.5
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia91
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
7.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
91
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto