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C2M1000170D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M1000170D
No. Parte Newark12X8366
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id4.9
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia69
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The C2M1000170D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low On resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, ultra low drain gate capacitance, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased system reliability. Applications include auxiliary power supplies, switch mode power supplies and high voltage capacitive loads.
- Drain to source voltage (Vds) of 1.7kV
- Continuous drain current of 5A
- Power dissipation of 69W
- Operating junction temperature of -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 1ohm at Vgs of 20V
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
Disipación de Potencia
69
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.95
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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