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XP4N4R2H
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Montaje Superficial
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FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP4N4R2H
No. Parte Newark70AK6989
Rango de ProductoXP4N4R2 Series
Hoja de datos técnicos
160 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.640 |
| 10+ | $1.420 |
| 25+ | $1.280 |
| 50+ | $1.170 |
| 100+ | $0.993 |
| 250+ | $0.890 |
| 500+ | $0.783 |
| 1000+ | $0.754 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.64
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Información del producto
FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP4N4R2H
No. Parte Newark70AK6989
Rango de ProductoXP4N4R2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id83
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Diseño de TransistorTO-252
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia2
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoXP4N4R2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
83
Diseño de Transistor
TO-252
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
XP4N4R2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto