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QS6M3TR
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQS6M3TR
No. Parte Newark74M4157
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.17
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente170
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900
Disipación de Potencia de Canal P1.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza QS6M3TR
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Resumen del producto
El QS6M3TR es un MOSFET de canal N/P diseñado como dispositivo de baja resistencia en ON mediante tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso con máquinas de procesamiento de monedas, multímetro digital de tipo práctico, servo de CA PLC (controlador lógico programable), almacenamiento conectado a la red y aplicaciones DVR/DVS.
- Unidad de 2.5V
- Alta velocidad de conmutación
- Pequeño paquete de montaje en superficie
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Diodo de protección G-S incorporado
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
170
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.25
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.17
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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