Imprimir página
PMDT670UPE,115
MOSFET, P CHANNEL, DUAL, 20V, 550MA, SOT666
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
885 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.624 |
| 10+ | $0.460 |
| 100+ | $0.200 |
| 500+ | $0.179 |
| 1000+ | $0.155 |
| 2500+ | $0.138 |
| 12000+ | $0.120 |
| 28000+ | $0.112 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.12
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDT670UPE,115
No. Parte Newark75T8012
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id550mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N550
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P550
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente670
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.67
Diseño de TransistorSOT-666
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500
Disipación de Potencia de Canal P500
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PMDT670UPE es un FET de modo de mejora de canal P dual en un paquete de plástico de montaje en superficie de plomo plano y ultra pequeño que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para aplicaciones de controlador de relevador, controlador de línea de alta velocidad, interruptor de carga del lado bajo y circuito de conmutación.
- Características de conmutación muy rápidas
- Protección ESD hasta 2kV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
550
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.67
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
550mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
550
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
670
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia de Canal N
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto