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ECH8693R-TL-W
MOSFET Dual, Canal N, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5.6 mohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteECH8693R-TL-W
No. Parte Newark30AC9542
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N24
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P24
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N14
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P14
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente5.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0056
Diseño de TransistorSOT-28FL
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4
Disipación de Potencia de Canal P1.4
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
24
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
14
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0056
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
24
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
14
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
5.6
Diseño de Transistor
SOT-28FL
Disipación de Potencia de Canal N
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto