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NTJD1155LT1G
MOSFET, N & P-CH, 8V, 1.3A, SC-88-6
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD1155LT1G
No. Parte Newark46AC1424
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N8V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P8V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.13ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.13ohm
Diseño de TransistorSC-88
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N400mW
Disipación de Potencia de Canal P400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
8V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.13ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
400mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
8V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.13ohm
Diseño de Transistor
SC-88
Disipación de Potencia de Canal N
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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