Imprimir página
IXFK520N075T2
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 520 A, 0.0022 ohm, TO-264, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFK520N075T2
No. Parte Newark03AH0684
Rango de ProductoTrenchT2/ GigaMOS/ HiPerFET Series
Hoja de datos técnicos
268 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.820 |
| 5+ | $8.820 |
| 10+ | $8.820 |
| 25+ | $8.820 |
| 100+ | $8.820 |
| 500+ | $8.820 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.82
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFK520N075T2
No. Parte Newark03AH0684
Rango de ProductoTrenchT2/ GigaMOS/ HiPerFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id520
Resistencia de Activación Rds(on)0.0022ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0022
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia1.25
Disipación de Potencia Pd1.25kW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de ProductoTrenchT2/ GigaMOS/ HiPerFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Diodo intrínseco rápido con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal N. Es adecuado para su uso en convertidores CD-CD y UPS fuera de línea, interruptor del lado primario, aplicaciones de conmutación de energía de alta velocidad.
- MOSFET de potencia TrenchT2™ GigaMOS™ HiperFET™
- Capacidad de manejo de alta corriente
- Bajo RDS(on)
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0022ohm
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.25
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
520
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0022
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
1.25kW
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
TrenchT2/ GigaMOS/ HiPerFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto