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2N7002-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002-7-F
No. Parte Newark25R5679
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id210
Resistencia de Activación Rds(on)13.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El 2N7002-7-F es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de 60 V con terminales estañados mate. Los terminales pueden soldarse según MIL-STD-202, método 208. Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (encendido)) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia. La caja está hecha de plástico moldeado, compuesto de moldeo "verde" (UL94V-0).
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Libre de halógenos y antimonio
- Dispositivo verde
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
13.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
210
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300mW
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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