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BSS123-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS123-7-F
No. Parte Newark12T1440
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id170mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4V
Disipación de Potencia300mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza BSS123-7-F
7 productos encontrados
Resumen del producto
El BSS123-7-F es un MOSFET de modo de mejora de canal N que utiliza diodos patentados, de alta densidad y que utiliza tecnología avanzada de zanjas. Acabado de estaño mate recocido sobre terminales de marco de aleación 42 y caja de plástico moldeado ignífugo UL94V-0. Diseñado para minimizar la resistencia en el estado mientras proporciona un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido. Adecuado para aplicaciones de baja tensión y corriente.
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Calificado AEC-Q101
- Fuga baja de entrada/salida
- Alto voltaje de fuente de drenaje
- Nivel-1 por sensibilidad a la humedad J-STD-020
- Producto verde
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170mA
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300mW
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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