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BSS123W-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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| 50+ | $0.162 |
| 100+ | $0.142 |
| 250+ | $0.131 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS123W-7-F
No. Parte Newark07AH3634
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BSS123W-7-F is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include small servo motor controls, power MOSFET gate drivers, switching applications.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- High drain-source voltage rating
- Drain-source voltage is 100V at TA=+25°C
- Continuous gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Pulsed drain current is 680mA at TA=+25°C
- Total power dissipation is 200mW at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 6ohm max at VGS=10V, ID=0.17A, TA=+25°C
- SOT323 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
200
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS123W-7-F
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Trazabilidad del producto