Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
103,007 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.019 |
10+ | $0.019 |
25+ | $0.019 |
50+ | $0.019 |
100+ | $0.019 |
250+ | $0.019 |
500+ | $0.019 |
1000+ | $0.019 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.02
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138-7-F
No. Parte Newark12T1442
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.4ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia300mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BSS138-7-F is a 50V N-channel enhancement mode MOSFET with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. The case is made of molded plastic (UL94V-0). The MOSFET features low gate threshold voltage, fast switching speed and low input capacitance.
- Low on-resistance
- Low input/output leakage
- Halogen and antimony-free
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300mW
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS138-7-F
6 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto