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BSS8402DW-7-F
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 13.5 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.727 |
| 10+ | $0.470 |
| 25+ | $0.420 |
| 50+ | $0.370 |
| 100+ | $0.320 |
| 250+ | $0.306 |
| 500+ | $0.261 |
| 1000+ | $0.241 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS8402DW-7-F
No. Parte Newark25R4433
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N115mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P130mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente13.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente10ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200mW
Disipación de Potencia de Canal P200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BSS8402DW-7-F es un MOSFET de modo de mejora de par complementario con acabado de estaño mate recocido sobre terminales de marco de aleación 42 y caja de plástico moldeado ignífugo UL94V-0. El BSS8402DW-7-F es un MOSFET de modo de mejora de par complementario con acabado de estaño compañero recocido sobre los terminales de marco de aleación Aleación 42 y caja de plástico moldeado ignífugo UL94V-0.
- Baja resistencia de encendido
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Nivel-1 por sensibilidad a la humedad J-STD-020
- Producto verde
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
130mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
10ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
200mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
115mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
13.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS8402DW-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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