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DMG1016V-7
MOSFET, N & P CH, 20V/-20V, SOT-563
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| 100+ | $0.183 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1016V-7
No. Parte Newark82Y6559
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N870mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.3ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.3ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N530mW
Disipación de Potencia de Canal P530mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
870mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.3ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
530mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.3ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
530mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMG1016V-7
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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