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DMN2004DWK-7
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 20V, SOT363
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2004DWK-7
No. Parte Newark99AC3923
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.4ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200mW
Disipación de Potencia de Canal P200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
540mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.4ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
200mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMN2004DWK-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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