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DMN2028UVT-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6.2 A, 0.02 ohm, TSOT-26, Montaje Superficial
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 5 semana(s)
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2028UVT-7
No. Parte Newark39AH6594
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id6.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.2W
Diseño de TransistorTSOT-26
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia1.2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia
1.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto