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G3R20MT17K
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 124 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R20MT17K
No. Parte Newark89AH0982
Rango de ProductoG3R Series
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R20MT17K
No. Parte Newark89AH0982
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id124
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Disipación de Potencia Pd809W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia809
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
G3R20MT17K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Applications includes EV fast charging, solar inverters, industrial motor drives, transportation, industrial power supply, smart grid and HVDC, induction heating and welding, pulsed power.
- Drain-source voltage is 1700V (V=0V, I=100µA, T=25°C), RDS(ON) is 20mohm typ (T=25°C, VGS=15V)
- G3R™ Technology with +15V gate drive, softer R v/s temperature dependency
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, smaller R and lower Q
- Low device capacitances (C0ss, CRss ), superior cost-performance index
- Robust body diode with low V and low QRR, industry-leading UIL & short-circuit robustness
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Reduced ringing, faster, more efficient switching, continuous forward current is 67A (T=100°C)
- Lesser switching spikes and lower losses, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- TO-247-4 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
No. de Pines
4Pines
Disipación de Potencia Pd
809W
Disipación de Potencia
809
Rango de Producto
G3R Series
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
124
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto