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G3R30MT12J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 96 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R30MT12J
No. Parte Newark89AH0984
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 250+ | $19.500 |
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Múltiple: 1000
$19,500.00
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R30MT12J
No. Parte Newark89AH0984
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id96A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Núm. de Contactos7Pines
Disipación de Potencia Pd459W
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.69V
Disipación de Potencia459W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Núm. de Contactos
7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
459W
Rango de Producto
G3R Series
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
96A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
459W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.69V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto