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G3R40MT12J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R40MT12J
No. Parte Newark89AH0989
Rango de ProductoG3R Series
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R40MT12J
No. Parte Newark89AH0989
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id75A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Núm. de Contactos7Pines
Disipación de Potencia Pd374W
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.69V
Disipación de Potencia374W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Núm. de Contactos
7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
374W
Rango de Producto
G3R Series
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
374W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.69V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto