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GA20SICP12-263
Transistor JFET, 1.2 kV, 20 A, TO-263, 3 Pines, 175 °C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteGA20SICP12-263
No. Parte Newark08X5874
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente1.2kV
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero20A
Disipación de Potencia157W
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-
Intensidad Drenador Continua Id20A
Disipación de Potencia Pd157W
Diseño de TransistorTO-263
Núm. de Pines3 Pines
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Encapsulado de Transistor RFTO-263 (D2PAK)
Tipo de CanalCanal N
Núm. de Contactos3Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
1.2kV
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
20A
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-
Disipación de Potencia Pd
157W
Núm. de Pines
3 Pines
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
-
Encapsulado de Transistor RF
TO-263 (D2PAK)
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Disipación de Potencia
157W
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Diseño de Transistor
TO-263
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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