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G3F05MT12GB2
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 216 A, 1.2 kV, 0.0062 ohm, Module
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F05MT12GB2
No. Parte Newark39AM8763
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Hoja de datos técnicos
96 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $251.090 |
| 5+ | $247.370 |
| 10+ | $243.750 |
| 25+ | $229.120 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F05MT12GB2
No. Parte Newark39AM8763
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id216A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6200µohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia444W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
216A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6200µohm
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
444W
Rango de Producto
SiCPAK G Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto