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AIMW120R045M1XKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Trinchera SiC, Sencillo, Canal N, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMW120R045M1XKSA1
No. Parte Newark78AH7066
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $31.550 |
| 5+ | $27.800 |
| 10+ | $24.050 |
| 25+ | $23.860 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMW120R045M1XKSA1
No. Parte Newark78AH7066
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id52
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia228
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
228
Rango de Producto
CoolSiC Series
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
52
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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