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BFS481H6327XTSA1
Transistor RF - Bipolar, NPN Doble, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFS481H6327XTSA1
No. Parte Newark50Y1773
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN Doble
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor12
Frecuencia de Transición8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia175
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua20
Diseño de TransistorSOT-363
Ganancia de Corriente DC hFE0
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines6Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN Doble
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Diseño de Transistor
SOT-363
Encapsulado de Transistor RF
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Frecuencia de Transición
8
Disipación de Potencia
175
Corriente del Colector Continua
20
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
6Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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