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BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC030N08NS5ATMA1
No. Parte Newark12AC9442
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0026ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd139W
Disipación de Potencia139
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
BSC030N08NS5ATMA1 es un MOSFET de transistor de potencia OptiMOS™5.
- Optimizado para SMPS de alto rendimiento, 100% probado contra avalanchas
- Resistencia hermal superior, canal N
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 80V mín. (VGS=0V, ID=1mA, Tj=25 °C)
- La resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje es de 3 mohm máx. (VGS=10 V, ID=50 A, Tj=25 °C)
- La corriente de drenaje continuo es de 161A máx. (VGS=10 V, TC=25 °C)
- La carga de salida es 73nC típico (VDD=40 V, VGS=0 V, TC=25 °C)
- La carga total de la puerta es de 61 nC tipo (VDD=40 V, ID=50 A, VGS=0 a 10 V, TC=25 °C)
- La disipación de energía es de 139W máx. (TC=25 °C)
- Paquete PG-TDSON-8, rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
139W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0026ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
139
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSC030N08NS5ATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto