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BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ110N06NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3364
También conocido comoBSZ110N06NS3 G, SP000453676
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.451 |
| 10+ | $0.448 |
| 100+ | $0.413 |
| 500+ | $0.352 |
| 1000+ | $0.310 |
| 2500+ | $0.310 |
| 10000+ | $0.309 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ110N06NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3364
También conocido comoBSZ110N06NS3 G, SP000453676
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.009ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia50W
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSZ110N06NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.009ohm
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
50W
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSZ110N06NS3GATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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