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BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ340N08NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3366
También conocido comoBSZ340N08NS3 G, SP000443634
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.462 |
| 10+ | $0.418 |
| 100+ | $0.369 |
| 500+ | $0.363 |
| 1000+ | $0.335 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$0.46
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ340N08NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3366
También conocido comoBSZ340N08NS3 G, SP000443634
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id23
Resistencia de Activación Rds(on)0.027ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd32W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia32
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSZ340N08NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología OptiMOS™ de referencia líder en rendimiento. Es el líder del mercado en soluciones altamente eficientes para aplicaciones de generación de energía, suministro de energía y consumo de energía.
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Resistencia térmica superior
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Nivel normal
- Probado avalancha 100%
- Ideal para conmutación de alta frecuencia
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.027ohm
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
23
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
32W
Disipación de Potencia
32
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto