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BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ520N15NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3368
También conocido comoBSZ520N15NS3 G, SP000607022
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.640 |
| 10+ | $1.200 |
| 100+ | $0.886 |
| 500+ | $0.752 |
| 1000+ | $0.719 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.64
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ520N15NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3368
También conocido comoBSZ520N15NS3 G, SP000607022
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id21
Resistencia de Activación Rds(on)0.042ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd57W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia57
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSZ520N15NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Logra una reducción en RDS (ON) del 40% y del 45% en figura de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades, como pasar de paquetes con plomo a paquetes SMD o reemplazar efectivamente dos piezas viejas con una pieza OptiMOS™.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- MSL1 clasificado 2
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Optimizado para la conversión de CD a CD
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.042ohm
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
21
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
57W
Disipación de Potencia
57
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto