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DF23MR12W1M1PB11BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteDF23MR12W1M1PB11BPSA1
No. Parte Newark91AH7044
Rango de ProductoEasyPACK CoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteDF23MR12W1M1PB11BPSA1
No. Parte Newark91AH7044
Rango de ProductoEasyPACK CoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id25A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoEasyPACK CoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
No. de Pines
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
-
Rango de Producto
EasyPACK CoolSiC Trench Series
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
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