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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF6MR12W2M1PB11BPSA1
No. Parte Newark91AH7523
Rango de ProductoEasyDUAL CoolSiC
Hoja de datos técnicos
No está disponible
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF6MR12W2M1PB11BPSA1
No. Parte Newark91AH7523
Rango de ProductoEasyDUAL CoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id200A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0.00563ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00563ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoEasyDUAL CoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00563ohm
No. de Pines
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
EasyDUAL CoolSiC
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00563ohm
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto