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GS66504BMRXUSA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $13.210 |
| 10+ | $12.150 |
| 25+ | $11.230 |
| 50+ | $10.330 |
| 100+ | $9.410 |
| 250+ | $8.790 |
| 500+ | $8.250 |
| 1000+ | $7.840 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS66504BMRXUSA1
No. Parte Newark42AM5358
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13
Carga de Compuerta Típica3.3
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
15
Carga de Compuerta Típica
3.3
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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