Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIDD04SG60CXTMA2
No. Parte Newark62AC6976
Rango de ProductothinQ Gen III Series
Hoja de datos técnicos
13,435 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $2.640 |
10+ | $1.720 |
25+ | $1.570 |
50+ | $1.410 |
100+ | $1.260 |
250+ | $1.160 |
500+ | $1.050 |
1000+ | $0.985 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.64
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIDD04SG60CXTMA2
No. Parte Newark62AC6976
Rango de ProductothinQ Gen III Series
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductothinQ Gen III Series
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo600
Corriente Directa Promedio4
Carga Capacitiva Total4.5nC
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-252 (DPAK)
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
thinQ Gen III Series
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
600
Carga Capacitiva Total
4.5nC
No. de Pines
3 Pin
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
4
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto