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IDM10G120C5XTMA1
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 1200V, Sencillo, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIDM10G120C5XTMA1
No. Parte Newark34AC1583
Rango de ProductothinQ 5G 1200V
Hoja de datos técnicos
3,410 En Stock
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2989 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.900 |
| 10+ | $2.900 |
| 25+ | $2.900 |
| 50+ | $2.710 |
| 100+ | $2.410 |
| 250+ | $2.350 |
| 500+ | $2.270 |
| 1000+ | $2.200 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.90
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIDM10G120C5XTMA1
No. Parte Newark34AC1583
Rango de ProductothinQ 5G 1200V
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductothinQ 5G 1200V
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo1.2
Corriente Directa Promedio38
Carga Capacitiva Total41
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-252 (DPAK)
No. de Pines2 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Diodo Schottky de 5ª generación thinQ!™ 1200V SiC adecuado para su uso en inversores solares, fuentes de alimentación ininterrumpidas, accionamientos de motor y corrección del factor de potencia. Los beneficios de usar el diodo Schottky son la mejora de la eficiencia del sistema con respecto a los diodos de Si, los ahorros en el costo/tamaño del sistema debido a los requisitos de enfriamiento reducidos, lo que permite soluciones de mayor frecuencia/densidad de potencia, mayor confiabilidad del sistema debido a temperaturas de operación más bajas y EMI reducida.
- Material semiconductor revolucionario - carburo de silicio
- Sin corriente de recuperación inversa/sin recuperación directa
- Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
- Voltaje directo bajo incluso a alta temperatura de funcionamiento
- Estrecha distribución de voltaje hacia adelante
- Excelente rendimiento térmico.
- Capacidad de corriente de sobretensión extendida
- Robustez dv/dt especificada
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
thinQ 5G 1200V
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
1.2
Carga Capacitiva Total
41
No. de Pines
2 Pin
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
38
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto