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IGC033S10S1XTMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGC033S10S1XTMA1
No. Parte Newark22AM1422
Rango de ProductoCoolGaN G3 Series
Hoja de datos técnicos
538 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.560 |
| 10+ | $3.110 |
| 25+ | $2.890 |
| 50+ | $2.680 |
| 100+ | $2.460 |
| 250+ | $2.280 |
| 500+ | $2.090 |
| 1000+ | $2.000 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.56
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGC033S10S1XTMA1
No. Parte Newark22AM1422
Rango de ProductoCoolGaN G3 Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id76
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3300µohm
Carga de Compuerta Típica11
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines6Pines
Rango de ProductoCoolGaN G3 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IGC033S10S1XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high-power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacenter 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- Ultra fast switching and high efficiency
- No reverse recovery charge, space saving and highly robust package
- Ultra low gate charge and output charge
- Exposed die for top‑side thermal excellence
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin TSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3300µohm
Diseño de Transistor
TSON
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
76
Carga de Compuerta Típica
11
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
CoolGaN G3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto