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IGLD60R070D1AUMA3
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 15 A, 70 mohm, 5.8 nC, LSON, Montaje Superficial
2,471 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGLD60R070D1AUMA3
No. Parte Newark58AJ2273
Rango de ProductoCoolGaN
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.0
Carga de Compuerta Típica5.8
Diseño de TransistorLSON
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Carga de Compuerta Típica
5.8
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.
0
Diseño de Transistor
LSON
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto