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IMBF170R450M1XTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBF170R450M1XTMA1
No. Parte Newark91AH7661
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id9.8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.364ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.364ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia107W
Disipación de Potencia Pd107W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.364ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
107W
Rango de Producto
CoolSiC
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.364ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
107W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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