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IMBG120R140M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R140M1HXTMA1
No. Parte Newark92AH5311
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R140M1HXTMA1
No. Parte Newark92AH5311
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id18A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.189ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.7V
Disipación de Potencia Pd107W
Disipación de Potencia107W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.7V
Disipación de Potencia
107W
Rango de Producto
CoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.189ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
107W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto