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IMCQ120R078M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMCQ120R078M2HXTMA1
No. Parte Newark27AM0103
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
200 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.780 |
| 10+ | $4.790 |
| 25+ | $4.530 |
| 50+ | $4.260 |
| 100+ | $3.990 |
| 250+ | $3.770 |
| 500+ | $3.560 |
| 1000+ | $3.160 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMCQ120R078M2HXTMA1
No. Parte Newark27AM0103
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id31
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0781
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia176
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0781
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
176
Rango de Producto
CoolSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto