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IMW120R007M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW120R007M1HXKSA1
No. Parte Newark32AK4929
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
179 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $72.340 |
| 10+ | $71.450 |
| 25+ | $59.000 |
| 50+ | $58.910 |
| 100+ | $58.870 |
| 480+ | $58.820 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW120R007M1HXKSA1
No. Parte Newark32AK4929
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id225A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.007ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia750W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.007ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
CoolSiC Trench Series
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
225A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
750W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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