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IPB042N10N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB042N10N3GATMA1
No. Parte Newark47Y8047
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.840 |
| 10+ | $1.480 |
| 25+ | $1.380 |
| 50+ | $1.290 |
| 100+ | $1.200 |
| 250+ | $1.120 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB042N10N3GATMA1
No. Parte Newark47Y8047
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0036ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0042ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia214
Disipación de Potencia Pd214W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia Optima's™ 3 de 100V Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
- Canal N, nivel normal
- Excelente producto xRDS (encendido) de carga de puerta (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Excelente rendimiento de conmutación
- R DS más bajo del mundo (activado)
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0036ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
214
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0042ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Disipación de Potencia Pd
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPB042N10N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto