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IPB60R099CPATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1
No. Parte Newark33P7131
También conocido comoIPB60R099CP, SP000088490
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1
No. Parte Newark33P7131
También conocido comoIPB60R099CP, SP000088490
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia de Activación Rds(on)0.09ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.099ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd255W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia255
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPB60R099CP es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Está diseñado para topologías de conmutación dura y de conmutación suave, CCM PFC y PWM para ATX, PDP con adaptador para notebook y TV LCD. Está especialmente diseñado para topologías de conmutación dura para servidores y telecomunicaciones.
- Bajo figura de mérito (FOM) RON x Qg
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Ultra bajo RDS (ENCENDIDO)
- Conmutación muy rápida
- Rg interno muy bajo
- Gran capacidad de corriente
- Reducción significativa de las pérdidas de conducción y conmutación.
- Alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores.
- La mejor relación de rendimiento de su clase
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.09ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
255W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.099ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
255
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto